| 1. Identificação | |
| Tipo de Referência | Artigo em Evento (Conference Proceedings) |
| Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
| Identificador | 6qtX3pFwXQZGivnJVY/KNckw |
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/04.18.12.39 |
| Última Atualização | 2020:09.02.19.56.05 (UTC) simone |
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m16@80/2006/04.18.12.39.10 |
| Última Atualização dos Metadados | 2022:09.14.19.51.52 (UTC) administrator |
| Chave Secundária | INPE-13655-PRE/8850 |
| Rótulo | self-archiving-INPE-MCTIC-GOV-BR |
| Chave de Citação | MastrellaAbra:1997:MeReEf |
| Título | Medidas de resistividade e efeito hall em camadas epitaxiais PB1-xSNxTE/BAF2  |
| Projeto | TECMAT: Tecnologia de materiais / Crescimento e caracterização de filmes epitaxiais de compostos IV-VI crescidos por MBE |
| Ano | 1997 |
| Data de Acesso | 18 maio 2024 |
| Tipo Secundário | PRE CN |
| Número de Arquivos | 1 |
| Tamanho | 152 KiB |
| 2. Contextualização | |
| Autor | 1 Mastrella, Celso Ferreira 2 Abramof, Eduardo |
| Grupo | 1 2 LAS-INPE-MCT-BR |
| Afiliação | 1 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) |
| Nome do Evento | Seminário de Iniciação Científica do INPE (SICINPE), 3 |
| Localização do Evento | São José dos Campos |
| Data | 1-2 jul |
| Páginas | 29-30 |
| Histórico (UTC) | 2006-04-18 12:39:10 :: vinicius -> administrator :: 2006-11-09 21:12:18 :: administrator -> vinicius :: 2008-02-20 17:16:17 :: vinicius -> administrator :: 2018-03-26 16:08:32 :: administrator -> marciana :: 1997 2018-03-26 16:08:50 :: marciana -> administrator :: 1997 2018-06-05 01:28:55 :: administrator -> marciana :: 1997 2019-11-26 11:56:21 :: marciana -> simone :: 1997 2020-09-02 19:56:06 :: simone -> administrator :: 1997 2022-09-14 19:51:52 :: administrator -> simone :: 1997 |
| 3. Conteúdo e estrutura | |
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
| Estágio do Conteúdo | concluido |
| Transferível | 1 |
| Tipo do Conteúdo | External Contribution |
| Palavras-Chave | SENSORES E MATERIAIS Resistividade Camadas epitaxiais SENSORS AND MATERIALS Resistivity Epitaxial layers |
| Resumo | Um sistema para medidas de efeito Hall dependente com a temperatura completamente automatizado foi implementado para a determinação da resistividade, concentração de portadores e mobilidade Hall de camadas epitaxiais. A amostra é montada no criostato de circuito fechado de He que opera até uma temperatura d e13K com 4 contatos na geometria. Van der Pauw e com 6 contatos na geometria Hall. O controlador de temperatura do criostato é interfaceado com o microcomputador (PC 486) através da placa de aquisição de dados (DAS) com resolução de 12 bits. A placa DAS é também utilizada para se fazer o controle e a invresão do campo magnético durante as medidas de efeito Hall. As medidas de resistividade e efeito Hall propriamente ditas são efetudas em um sistema de efeito Hall Keithley modelo 80A totalmente interfaceado com o microcomputador através da interface IEEE 488. A carta de efeito Hall do sistema é utilizada para chavear a corrente da fonte para a amostra e entregar os sinais de teste da amostra Hall para a instrumentação de medida. Esta carta contém amplificadores sensíveis para se fazer medidas de resistividade e efeito Hall em materiais de alta ou baixa resistividade. Com o intuito de investigar a influência do desvio estequimétrico nas propriedades de camadas de Pb1-xSnxTe, duas espécies de fontes de PbTe e SnTe foram usadas no crescimento por MBE: fontes ricas em Te e outras estequimétricas. A figura 1 mostra a concentração de portatores (p) a 300K e a 12 K em função da composição da liga para duas séries de camadas de Pb1-xSnxTe crescidas a partir de fontes ricas em concentração de buracos aumenta exponencialmente com a composição da liga, mostrando algum desvio da dependência exponencial para x>0,7. Como esperado, a concentração de buracos para camas de Pb1-xSnxTe crescidas a partir de fontes ricas em Te é sempre maior que a das camadas correspondentes (com o mesmo x) crescidas a partir de fontes estequimétricas. A diferença entre a concentração de buracos de camadas com a mesma composição pertencentes às duas séries aumenta com o aumento de x, alcançando um valor de uma ordem de magnitude para a faixa com x>0,8. A concentração de buracos para cada amostra fica constante para toda a faixa de temperatura investigada (12K a 350K), independente da composição da liga. Isso prova que as características elétricas do PbTe, no qual o modelo de vacâncias não prevê um congelamento de portadores, continuam válidas para todo o sistema Pb1-xSnxTe. A figura 2 mostra a resistividade em função da temperatura para camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com x variando de 0 até 1. As curvas de resistividade das amostras Pb1-xSnxTe revelam quase a mesma dependência da temperatura, exceto para as amostras com x no intervalo de 0,35 a 0,7. Para tais amostras, um mínimo muito bem definido na curva de resistividade é observado em temperaturas entre 20K e 120K, dependendo do valor de x. A resistividade das amostras, cujo valor depende principalmente das suas concentrações de buracos, mostra uma dependência exponencial da temperatura com uma derivada decrescendo à medida que a composição da liga vai de PbTe a SnTe. |
| Área | FISMAT |
| Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Medidas de resistividade... |
| Conteúdo da Pasta doc | acessar |
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
| Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
| 4. Condições de acesso e uso | |
| URL dos dados | http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZGivnJVY/KNckw |
| URL dos dados zipados | http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZGivnJVY/KNckw |
| Idioma | pt |
| Arquivo Alvo | Mastrella_medidas.pdf |
| Grupo de Usuários | administrator simone vinicius |
| Grupo de Leitores | administrator simone |
| Visibilidade | shown |
| Detentor da Cópia | SID/SCD |
| Permissão de Atualização | não transferida |
| 5. Fontes relacionadas | |
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPDW34P/478H9GH |
| Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
| 6. Notas | |
| Notas | Bolsa PIBIC/INPE/CNPq |
| Campos Vazios | archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor electronicmailaddress format isbn issn lineage mark mirrorrepository nextedition numberofvolumes orcid organization parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress publisher publisheraddress readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype type url versiontype volume |
| 7. Controle da descrição | |
| e-Mail (login) | simone |
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